成果信息

本发明公开了一种基于反常霍尔效应的灵敏度可调节的磁场传感器件本发明从上到下依次为导电层、绝缘层、薄膜层、缓冲层，所述导电层用于接入控制电压，从而调控薄膜层垂直各向异性的大小，来调节磁性传感器件的灵敏度;其中薄膜层和缓冲层经过刻蚀微纳加工成的结构为十字结构，所述的薄膜层由 CoFeB 和 MgO 构成，当沿垂直于传感器件厚度方向通入的控制电压 Us 为一固定值时，传感器件横向两电极通入恒定电流 I,检测来自于和电流方向一致的外部磁场 H，而传感器件纵向两电极用于采集随外部磁场变化的电压，从而实现对外部磁场的检测。本发明可以灵活选择量程范围，准确测量外部磁场。 )

背景介绍

本发明公开了一种基于反常霍尔效应的灵敏度可调节的磁场传感器)

应用前景

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